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Fotodiodo de avalancha APD (Diodos PIN y APD de InGaAs 3G para OTDR)
Los fotodiodos de avalancha APD (Diodos PIN y APD de InGaAs 3G para OTDR) son fotodetectores de unión p-n de silicio o germanio. Mediante la aplicación de una tensión de polarización inversa de la unión p-n, los fotones de la luz incidente golpean a los electrones para pasarlos a través de la unión convirtiéndose en flujos de corriente fotoeléctrica. Cuando la tensión inversa aplicada aumenta, se producirán flujos de corriente de avalancha. El efecto de la avalancha de la corriente portadora puede ser utilizado para amplificar la señal fotoeléctrica en el sistema de detección con el fin de mejorar la sensibilidad del detector.
Esta serie de fotodiodo tiene como características una baja corriente de oscuridad, voltaje de funcionamiento bajo y alta sensibilidad. Puede funcionar en el modo de salida de impulsos o en el modo de salida de corriente continua. El producto se utiliza comúnmente en sistemas de transmisión a larga distancia, sistemas OTDR y en equipos de detección del sistema de retrodispersión Raman.
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Características ópticas y eléctricas| Parámetro | Símbolo | Mínimo | Típico | Máximo | Unidad | Observaciones |
| Voltaje de ruptura inverso | VBR | 40 | 45 | 55 | V | ID = 100 μA |
| Coeficiente de temperatura del voltaje de ruptura inverso1 | δ | 0.2 | %/°C | |||
| Corriente de oscuridad | ID | 5 | 25 | nA | VR = VBR x 0.9 | |
| Corriente de oscuridad multiplicada | IDM | 1 | 3 | nA | M = 2 to 10 | |
| Capacitancia terminal | Ct | 0.35 | pF | VR = VBR x 0.9, f = 1 MHz | ||
| Frecuencia de corte | fC | 2.5 | GHz | M = 10 | ||
| Eficiencia cuántica | η | 76 | 90 | % | λ = 1310 nm, M = 1 | |
| 65 | 77 | λ = 1550 nm, M = 1 | ||||
| Respuesta | S | 0.85 | 0.90 | A/W | λ = 1310 nm, M = 1 | |
| 0.90 | 0.95 | λ = 1550 nm, M = 1 | ||||
| Factor de exceso de ruido | X | 0.7 | - | λ = 1310 nm, IPO = 1.0 μw, M = 10, f = 35 MHz, B = 1 MHz | ||
| F | 5 | λ = 1550 nm, IPO = 1.0 μw, M = 10, f = 35 MHz, B = 1 MHz | ||||
| Pérdida de retorno óptico | ORL | 30 | 40 | dB | SMF |
Como un fabricante y proveedor especializado en China de fotodiodos de avalancha APD (Diodos PIN y APD de InGaAs 3G para OTDR), también ofrecemos módulos de diodo láser CWDM, diodos láser tipo mariposa con fibra acoplada y módulos fotodetectores de InGaAs 3-10G para multiplexor por división de longitud de onda, entre otros.
Nombres Relacionados
Fotodetector de avalancha | Componente láser para sistemas de comunicación de larga distancia | Dispositivo semiconductor de alta sensibilidad
Wuhan Shengshi Optical Technology Co. , Ltd.
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